웨이비스, 방산 'RF GaN 반도체' 개발 본격화

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[지디넷코리아]무선주파수(RF) 질화갈륨(GaN) 반도체 기업 웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)에 적용되는 RF GaN (HEMT) 칩 국산화 기술 개발을 본격화한다고 15일 밝혔다. RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품이다. 방산 분야에서는 장기간 안정적인 부품 공급과 후속 군수지원이 중요한 만큼, 해외 공급망…

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