GIST-삼성-MIT, Ru에 탄소원자 5개 첨가로 반도체 배선 "저항 혁명"

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[지디넷코리아]광주과학기술원(GIST)이 삼성전자 및 미국 MIT 연구팀과 공동으로 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항 값을 45% 낮추는데 성공했다. 2nm급 차세대 반도체 배선과 복잡한 3차원 구조에도 적용 가능할 전망이다.22일 GIST에 따르면 조용륜 GIST 중앙기기연구소 첨단분석센터 박사후연구원이 공동1저자로 참여했다. 삼성전자 SAIT(전 삼성종합기술원)에선 임용철 박사(공동1저자겸 교신저자)를 비롯한 하윤후·이영민 연구원(이상 공동…

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