삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정…하이브리드 본딩 앞당긴다

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[지디넷코리아]삼성전자가 차세대 D램 개발 전략을 수정했다. 기존 프로젝트성으로 개발되던 'B1b' 기술을 최근 정식 로드맵에 편입하고, 이를 첫 10나노미터(nm) 미만 D램인 'D0a'로 명명한 것으로 파악됐다.당초 삼성전자 D0a은 수직트랜지스터(VCT) D램을 지칭하던 공정이었다. 대신 VCT D램은 'D0a-V'라는 별도 명칭으로 분류됐다. 삼성전자가 D0a의 명칭을 변경한 이유는 범용 D램 내…

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