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[지디넷코리아]삼성전자가 최첨단 파운드리 공정 개발에서 괄목할 성과를 거뒀다. 기존 평면에 배치되던 트랜지스터를 위아래로 쌓는 '수직 적층 트랜지스터(3D Stacked FET)' 기술을, 업계 게이트 간격으로 구현하는 데 성공했다.17일 업계에 따르면 삼성전자는 업계 최소 크기의 수직 적층 트랜지스터 구현한 성과로 미국 주요 반도체 학회인 'VLSI 2026' 심포지엄에서 최우수…
출처: zdnet.co.kr · https://zdnet.co.kr/view/?no=20260617161633
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