로옴, 상면 방열 패키지 적용한 차세대 SiC MOSFET 개발 양산

작성자

카테고리:

← 피드로
지디넷코리아 · 전화평 기자 · 2026-07-09 IT·테크

[지디넷코리아]전력 변환 디바이스의 열 관리 한계를 극복하고 자동 실장 편의성까지 극대화한 차세대 탄화규소(SiC) 전력 반도체 패키지가 등장했다.글로벌 반도체 기업 로옴(ROHM) 주식회사는 자사 제4세대 SiC MOSFET를 탑재한 상면 방열 면실장 패키지 ‘TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)’을 개발했다고 9일 밝혔다.이번 신제품의 가장 큰 기술적 특징은 자동 실장이 가능한 면실장(SMD) 형태이면서도, 방열면을…

원문 보기 ↗

코멘트

답글 남기기

이메일 주소는 공개되지 않습니다. 필수 필드는 *로 표시됩니다