로옴, '저손실·고내성' 650V 내압 4세대 IGBT 개발

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[지디넷코리아]로옴(ROHM)이 디바이스 구조를 개선해 전력 손실을 줄이고 내구성을 높인 차세대 전력 반도체를 선보였다. 로옴은 차량용 전동 컴프레서, 고전압(HV) 히터 및 산업기기용 인버터에 최적화한 650V 내압 제4세대 IGBT를 개발했다고 19일 밝혔다.신제품은 차량용 650V 클래스 제품 중 업계 최고 수준인 1.55V의 낮은 도통손실을 달성했다. 도통손실은 전력 반도체가…

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